1장에서는 CMOS 제조공정기술을 기준으로 MOSFET 제작 구조, 웨이퍼 종류와 특성, 소자의 제작공정을 기술. 소자

               제작 과정은 소자 분리, 소자 형성, 소자 배선, 소자 완성 부분으로 나누어 구성.
2장에서는 단위공정의 최적화를 위해 요구되는 사진(photo), 식각(etching), 확산(diffusion), 평탄화(CMP), 세정(cleaning),

               이온 주입(implating), 박막(thin film CVD/PVD) 공 정들의 특성과 기본 공정기술 내용으로 구성.
3장에서는 반도체 제조 공정에 사용되는 단위공정 장비들의 특성과 종류, 구성모듈과 작 동원리에 대한 내용으로 구성.
4장에서는 공정 결과의 검사와 평가, 장비의 상태를 점검하기 위해 활용되는 계측장비와 공정불량 분석을 위해 사용되는

               분석 장비에 대한 내용으로 구성.

제1장  CMOS 공정 흐름도 이해

1. CMOS 트랜지스터 구조
2. CMOS 트랜지스터 작동 원리
3. CMOS 제작 공정 흐름도

제2장  CMOS 단위 공정 최적화

1. 사진(Photo) 공정
2. 식각(Etching) 공정
3. 확산(Diffusion) 공정
4. 평탄화(Planarization) 공정
5. 세정(Cleaning) 공정
6. 이온 주입(Implanting) 공정
7. 박막(Thin Film) 공정

제3장  공정 장비 

1. 사진(Photo) 공정 장비
2. 식각(Etch) 공정 장비
3. 확산 및 이온 주입 장비
4. 박막 증착 장비
5. CMP 장비

제4장  반도체 공정 검사 & 계측 및 분석 장비

1. 단위공정 검사 계측 장비
2. 물성 분석 및 평가 장비