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박막기술과 응용
수많은 정보와 날로 새롭게 발달되는 영상기기는 우리들의 생활을 보다 편리하고 풍요롭게 하는데 공헌
하고 있다. 이러한 기기를 구성하는 핵심 디바이스로서는 반도체, 디스플레이, 기록 등의 디바이스가
많이 사용되는데 이와 같은 관점에서 박막, 가공기술의 기초에서 응용까지 를 알기 쉽게 해설하였다.
1 프롤로그 · 13
2 박막기술의 기초
1. 박막기술에서의 진공 · 기체의 성질
2. 원자 · 분자의 들뜸, 이온화와 충돌과정
3. 방전 현상
4. 플라스마
3 박막 형성 기술
1. 박막 형성의 기초
2. 각종 박막 형성기술 -Ⅰ(PVD)
3. 각종 박막 형성기술 - Ⅱ (CVD)
4. 그 밖의 형성기술
4 가공(加工) 기술
1. 서론 · 143
2. 드라이 에칭기술의 기초
3. 물리화학적 기구에 의한 드라이 에칭
4. 그 밖의 드라이 에칭기술 및 미세 가공기술
5 박막 기술의 응용
1. 센서
2. 반도체 장비
3. 기록
4. 디스플레이
5. 신소재(다이아몬드 박막)
6. 태양전지
7. 발광 디바이스

고도의 정보화 사회가 도래함으로써 수많은 정보와 날로 새롭게 발달되는 영상기기는 우리들의
생활을 보다 편리하게, 그리고 보다 풍요롭게 하는데 공헌하고 있다. 이러한 기기를 구성하는
핵심 디바이스로서는 반도체, 디스플레이, 기록 등의 디바이스가 많이 사용되고 있다.
또 휴대 전자 기기의 발전과 더불어 가벼운 전지가 중요성을 띠고 있다. 이와 같은 핵심 디바이스
중에서 반도체 디바이스는 메모리를 비롯하여 마이크로 프로세서, 영상처리 등, 디지털 기술의
중추 디바이스로 자리매김 하고 있다.
대표적인 메모리인 DRAM(Dynamic Random Access Memory)는 기가비트급의 디바이스가 제조되고,
이 중에는 새로운 재료인 고유전율 박막과 디 바이스의 고밀도화 · 고속화를 위해 저유전율 박막의
도입이 시도되고 있다. 또 이상적(理想的)인 메모리로서 강유전체 비휘발성 메모리도 실용화되 었다.
그리고 맨 · 머신 인터페이스로서의 디바이스에 있어서도 LCD(Liquid Crystal Display : 액정 디스
플레이)를 대표로 하는 플레트 패널 디스플레 이가 널리 쓰이고 벽걸이 TV로서 PDP(Plasma Display
Panel)와 FED(Field Emission Display)도 개발되고 있다. 반도체 메모리 이외의 기록에 관 해서는
하드디스크 등의 자기기록과 광디스크에서 대용량화를 위한 전개가 시도되고 있다.
이러한 핵심 디바이스에 공통되는 기술 트렌드로서 생산성 향상을 위한 대형화 · 처리의 고속화와
함께 개개 디바이스의 고밀도화, 미세화, 적층화를 들 수 있다. 즉, 박막 형성 및 미세 가공기술의
진전과 기술 레벨이 디바이스의 코스트와 성능을 결정한다 해도 과언이 아니다.
또 근년, 지구 환경과도 관련하여 청정한 에너지로서 주택용 태양광 발전 시스템이 각광을 받고 있고,
앞으로 이 발전 시스템이 더욱 발전하기 위해 서는 태양전지의 고효율화와 더불어 코스트 다운화가
절실하다. 그러기 위해서는 박막형 태양전지의 개발이 긴요하다. 또 다이아몬드 · 탄화실리콘 (SiC)
등의 탄소계 재료와 초전도 재료도 금후 큰 산업화가 기대되는 분야인데 이를 위해서도 박막 · 가공
기술의 큰 진전이 기대된다.
이와 같은 관점에서 이 책은 박막, 가공기술의 기초에서 응용까지를 알기 쉽게 해설하고 있다.
보다 더 전문적인 내용이나 상세한 설명은 부기한 참고 문헌을 이용하기 바란다. 또 집필 당시에는 가급적
최신 정보를 인용하였지만 책이 출판되는 이 시점에서는 시대에 뒤떨어진 설명 부분도 있을 것이므로 독자
들의 양해를 바란다.
● 저자 : 히라오다까시 외
역자 : 백낙선
◑ 히라오다까시
1967년 오사카대학 대학원 공학연구과 석사과정 수료
1967년 미쓰시타전기산업(주) 입사
1979년 오사카대학에서 공학박사 학위 취득
1989년 가나자와대학에서 학술박사 학위 취득
현재 오사카대학 공학부 교수
◑ 요시다 아키히사
1985년 와세다대학 대학원 이공학연구과 석사과정 수료
1985년 미쓰시타 전기산업(주) 입사
1996년 와세다대학에서 공학박사 학위 취득
현재 마쓰시타전기산업(주) 중앙연구소 수석연구원
◑ 하아까와 시게루
1950년 오사카대학 이학부 물리학과 졸업
1959년 마쓰시타전기산업(주) 입사
1963년 오사카대학에서 공학박사 학위 취득
현재 (주) 이온공학센터 사장
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